Вакуумные напылительные системы
Термическое оборудование
Оборудование для напылительных систем
Восстановление б/у вакуумных систем
Проектирование и создание вакуумных систем
Напыление покрытий вакуумными методами

Контакты компании РОБВАК
Тел.: +7 (495) 966 28 14
Email: request@robvac.com

БЕССЕТОЧНЫЕ ИОННЫЕ ИСТОЧНИКИ END-HALL СЕРИИ еН



Ионные источники (ИИ) серии еН будут идеальным выбором, где требуется высокая плотность ионного пучка и небольшие энергии ионов в пучке. Высокая плотность пучка обеспечит качественное ионное ассистирование даже в процессах с высокой скоростью вакуумного напыления, в то время как низкая энергетичность ионов исключит разрушение подложки или напыляемого слоя.

Компактные ионные источники (или как их ещё иногда называют: ионные пушки) серии еН, генерирующие расходящийся пучок ионов, выпускаются в большом диапазоне размеров, что позволяет их использовать как в научных исследованиях, так и в системах для серийного производства. Большое значение силы тока ионного пучка удовлетворяет самым критичным приложениям с большими скоростями нанесения тонких плёнок в вакууме. Низкая энергия ионов позволяет оптимальным образом осуществлять ассистирование процессу напыления, не разрушая или как-то негативно влияя на напыляемую плёнку. Большая расходимость пучка обеспечивает высокую равномерность покрытия ионным пучком напыляемой зоны. 

Ионные источники серии еН компании Кауфман-энд-Робнисон благодаря своей низкоэнергетичности и высокой плотности находят применение во многих областях, связанных с вакуумным напылением или обработкой поверхности в вакууме, например:

  • Ионно-лучевое ассистирование процессу вакуумного напыления
  • Чистка и активирование напыляемой подложки перед процессом вакуумного напыления
  • Низкоэнергетичное травление ионным пучком
  • Модификация свойств поверхности
  • Ионное осаждение по подложку со смещением потенциала

Все модели ионных источников серии еН имеют запатентованный модульный анод. Проста демонтажа и монтажа анодного блока значительно упрощает его сервисное обслуживание. 

Преимущества ионных источников серии еН: 

  • Вынимаемый анодный модуль с целью удобного обслуживания
  • Анодный модуль самоцентрируется при установке, что значительно облегчает его установку после сервисного обслуживания
  • Профиль анода спроектирован для наиболее оптимального горения плазменного разряда 
  • Термически изолированная магнитная система
  • Усовершенствованная система распределения газа 
  • Экранированные изоляторы значительно увеличивают время между сервисным обслуживанием ионного источника

Бессеточные ионные источники серии еН имеют более привлекательную цену по сравнению с сеточными ионными источниками, надёжны в работе, просты в обслуживании. 

Для консультаций по поводу правильного выбора ионного источника для своего приложения пожалуйста обратитесь к нашим специалистам.



Ионные источники серии еН могут работать со следующими газами: Ar, O2, N2, H2, органические прекурсоры, иные газы (если вы собираетесь работать с каким-то редким газом, перед покупкой ионного источника вначале свяжитесь с нами). 

Характеристика ионного источника eH200

eH400

еН400LE

eH1000

eH1000LE

eH1000LO

eH1000xO

(оптимизирован для работы с кислородом)

еН2000

еН2000LE

еН2000LO

eH3000

eH3000LO

eH3000MO

Тип катода (нейтрализатора) 
НН – нить накала 
ПК – полый катод
НН или ПК НН или ПК НН или ПК НН или ПК  НН или ПК 
ПК 
ПК
ПК
Ø разрядной камеры ~ 2 см ~ 4 см        
Высота ИИ 2.0” 3.0” 4.0” 4.0” 4.0” 6.0”
Диаметр ИИ 2.5” 3.7” 5.7” 5.7” 5.7” 9.7”
Угол расходимости пучка ИИ > 45º > 45º > 45º > 45º > 45º > 45º
Напряжение в разрядной камере ИИ 30 – 300 В 50-300 В
30 – 150 В
50-300 В 
30 – 150 В 
50 – 300 В
100-300 В 50-300 В 
30 – 150 В 
50 – 250 В
50-250 В 50-300 В 50-250 В
Ток в разрядкой камере ИИ 5 А 
10 А
10A 
12A 
5A
10 А 10A 
15A 
15A
 20A 
10A 
15A
Типичные значения потока, ст. см3/мин 1 - 15 2 - 25 2 - 50 2 - 50 2 - 75 5 - 100
Водяное охлаждение нет опционно опционно опционно да опционно

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При заказе ионного источника учтите режим его работы. По умолчанию ионные источники поставляются без водяного охлаждения (кроме еН2000). Если планируется длительная работа ионного источника в вакуумной камере, в которой присутствует повышенное тепловое излучение (от источников испарения или от нагревательных элементов), рекомендуется устанавливать ионный источник с водяным охлаждением анода.

Также для некоторых приложений рекомендуется использовать более дорогой нейтрализатор на базе полого катода, а не на базе нити накала. Так как в полом катоде нет нити накаливания, которая находится на пути или рядом с распространением ионного пучка, ионный пучок, нейтрализация которого происходит с помощью полого катода, будет более чистым (хотя нужно понимать, что даже в случае с нитью накала речь идёт о загрязнении пучка в миллионные доли грама в час). Чистка ионным источником с любым нейтрализатором – на порядки более чистый процесс по сравнению с чисткой подложки плазмой тлеющего разряда или ВЧ плазмой.

 

 

 

 

 

 

Встроенный электронный эмиттер на базе нити накаливания (опционно – эмиттер на базе полого катода)

 

 

Модульный анод (анод и газовая система)
Основной модуль. Включает магнитную систему, электрические и газовые вводы
Кронштейн для регулировки угла наклона ионного источника (опционно)

 

 

  • Вынимаемый анодный модуль с целью удобного обслуживания 
  • Анодный модуль самоцентрируется при установке, что значительно облегчает его установку после сервисного обслуживания 
  • Профиль анода спроектирован для наиболее оптимального горения плазменного разряда 
  • Термически изолированная магнитная система 
  • Усовершенствованная система распределения газа 
  • Экранированные изоляторы значительно увеличивают время между сервисным обслуживанием ионного источника

Бессеточные ионные источники серии еН имеют более привлекательную цену по сравнению с сеточными ионными источниками, надёжны в работе, просты в обслуживании. 

При заказе ионного источника учтите режим его работы. По умолчанию ионные источники поставляются без водяного охлаждения (кроме еН2000). Если планируется длительная работа ионного источника в вакуумной камере, в которой присутствует повышенное тепловое излучение (от источников испарения или от нагревательных элементов), рекомендуется устанавливать ионный источник с водяным охлаждением анода.

Также для некоторых приложений рекомендуется использовать более дорогой нейтрализатор на базе полого катода, а не на базе нити накала. Так как в полом катоде нет нити накаливания, которая находится на пути или рядом с распространением ионного пучка, ионный пучок, нейтрализация которого происходит с помощью полого катода, будет более чистым (хотя нужно понимать, что даже в случае с нитью накала речь идёт о загрязнении пучка в миллионные доли грама в час). Чистка ионным источником с любым нейтрализатором – на порядки более чистый процесс по сравнению с чисткой подложки плазмой тлеющего разряда или ВЧ плазмой.